Dettagli
Più efficienza energetica
Durata prolungata della batteria utilizzando meno energia. Operando a soli 1,2V, rispetto agli 1,5V della DDR3 standard, le memorie DDR4 Crucial SODIMM consumano il 20% in meno di energia rispetto alla tecnologia DDR3 standard. Le memorie
DDR4 Crucial SODIMM contengono anche altre funzioni di efficienza energetica, per una riduzione dell’energia totale fino al 40%.
Più densità
Più memoria nel portatile di quanto sia mai stato possibile. Le memorie DDR4 Crucial SODIMM debuttano con una densità fino a 8GB e, con lo sviluppo della tecnologia DDR4, i moduli sono progettati per raggiungere 32GB, consentendo di installare una quantità di memoria doppia rispetto a quella che sarebbe possibile installare in un sistema DDR3. Poichè i portatili dispongono solamente di 1-2 slot per l’alloggiamento della memoria, i moduli DDR4 Crucial SODIMM ad alta intensità consentono di superare questo limite e di installare una maggior quantità di memoria per prestazioni mobili più rapide.
Più velocità
Carica più velocemente le applicazioni e lancia i programmi pesanti senza rallentamenti. Le memorie DDR4 Crucial SODIMM debuttano a 2133 MT/s: una velocità maggiore del 30% rispetto ai moduli DDR3.
Più larghezza di banda
Esegue contemporaneamente attività multiple e consente al sistema di utilizzare tutti i cilindri. La memoria DDR4 Crucial SODIMM incrementa la larghezza di banda del 30%, consentendo al sistema di gestire più dati contemporaneamente. I moduli DDR4 Crucial SODIMM sono ottimizzati per le piattaforme di nuova generazione, consentendo di massimizzare la larghezza di banda.
SCHEDA TECNICA
ALTRE CARATTERISTICHE
- Ampiezza banda19200 MB/s
DIMENSIONI E PESO
- Altezza30 mm
- Larghezza69.6 mm
MEMORIA
- Classifica di memoria2
- Componente perNotebook
- Configurazione moduli1024M x 64
- Data Integrity Check (verifica integrità dati)No
- Fattore di forma memoria260-pin SO-DIMM
- Latenza CAS17
- Layout di memoria (moduli x dimensione)1 x 8 GB
- RAM installata8 GB
- Senza bufferSi
- Tipo di RAMDDR4
- Velocità memoria2400 MHz
- Voltaggio della memoria1.2 V
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